儀器簡介：

功能：配置多項拓展功能，能實現掃描/平行成像、XPS采譜、角分辨XPS、刻蝕深度剖析、REELS、UPS、ISS等多項功能。

優勢：配置高達0.44 eV能量分辨率的半球能量分析器和束斑最小可調節縮小至14.5 μm的微聚焦單色化X射線源，能實現對樣品微區域的準確分析；中和槍系統包含同軸非準直電子中和源及同源雙束中和源，能實現對大部分半導體、絕緣體樣品的分析；配置MAGCIS復合型離子源，包括高效單粒子離子源及團簇離子源。其中團簇離子源較傳統的單粒子離子源對樣品破壞較小，能實現對有機物的深度剖析。

主要技術參數：

1、能量掃描范圍0~1500 eV，通過能范圍1~400 eV；

2、束斑范圍：20~900 μm；

3、能量分辨率0.44 eV，靈敏度1.5Mcps@0.6 eV (650 μm束斑)；

4、成像空間分辨率為3 μm；

5、原位氣體反應室能夠實現加熱溫度達到1000 ℃的處理，同時可通入至少四路的反應氣氛。

應用領域：

可實現對有機聚合物、無機物、金屬、半導體等樣品表面除氦以外的所有元素，進行元素種類及化學價態的分析、相對含量的半定量分析、表面刻蝕及深度剖析、價態電子結構分析以及導電性較好的材料的功函數的測量。