儀器簡(jiǎn)介：

功能特點(diǎn)：FIB-SEM雙束電鏡不但能進(jìn)行超高分辨的掃描電鏡觀察，也能利用FIB對(duì)試樣進(jìn)行切割、加工、沉積，從事內(nèi)部和截面觀察及全靜態(tài)三維表征，以及特定圖形加工工作。高性能X射線能譜儀，支持點(diǎn)、線及面上的元素掃描，能準(zhǔn)確分析樣品的元素分布。

優(yōu)勢(shì)：超高的FIB分辨率可以進(jìn)行精確的試樣加工，尤其適合進(jìn)行制定區(qū)域TEM薄片制備。多種探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)高低真空下的信息全面采集。

主要技術(shù)參數(shù)：

1.二次電子分辨率：1.0 nm (加速電壓30 kV)；2.0 nm (著陸電壓1 kV)。電子槍最大束流不小于200 nA。放大倍率：1 – 1000 k。熱場(chǎng)發(fā)射電子槍加速電壓：0.2 - 30 kV。

2.離子槍分辨率：2.5 nm (加速電壓30 kV，工作距離9 mm)。離子槍束流：1 pA – 50 nA。離子槍加速電壓：500 V - 30 kV。

3.能譜儀探測(cè)器：牛津儀器的硅漂移（SDD）電制冷探測(cè)器，50 mm²有效面積。

4.配備Ga鎵離子源、Pt氣體注入系統(tǒng)、TEM樣品取出納米機(jī)械手。

應(yīng)用領(lǐng)域：

金屬、陶瓷、礦物、半導(dǎo)體等材料的顯微形貌、晶體結(jié)構(gòu)和相組織的觀察與分析。各種材料微區(qū)化學(xué)成分的定性和半定量檢測(cè)。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子產(chǎn)業(yè)微納加工；透射電鏡樣品制備。